Topic outline

  • General

  • Змістовий модуль 1

    Мета та задачі навчальної дисципліни. Основні співвідношення для розрахунку приладів твердотільної електроніки. Система фундаментальних рівнянь. Електронно-дірковий перехід та фізичні процеси в ньому. Утворення потенційного бар’єру в p-n-переході. Статичні вольт-амперні характеристики діодів з довгою і короткою базою при малих струмах. Диференційні параметри: опір, бар’єрна та дифузійна ємність – фізичний зміст та розрахунок.

    ЛЕКЦІЯ 1

    Мета та задачі навчальної дисципліни. Основні співвідношення для розрахунку приладів твердотільної електроніки. Система фундаментальних рівнянь. Електронно-дірковий перехід та фізичні процеси в ньому.

    ЛЕКЦІЯ 2

    Утворення потенційного бар’єру в p-n-переході. Статичні вольт-амперні характеристики діодів з довгою і короткою базою при малих струмах. Диференційні параметри: опір, бар’єрна та дифузійна ємність – фізичний зміст та розрахунок.

    ПРАКТИЧНЕ ЗАВДАННЯ 1

    Дослідження вольт-амперної характеристики діода


  • Змістовий модуль 2

    Види, призначення, принцип дії та конструкція діодів.. Механізми пробою, засоби збільшення напруги пробою. Тунельні діоди, їх технологічні та конструктивні особливості, параметри, характеристики. Аналіз перехідних процесів при малих і великих рівнях сигналу. Прилади з бар’єром Шотткі, ідеальні та реальні контакти. Основні характеристики діодів метал-напівпровідник, бар’єрна ємність, вплив стану межі розподілу контакту на характеристику контакту. Омічні контакти. Діоди Ганна. Основні експлуатаційні характеристики. Конструкції та застосування приладів.

    ЛЕКЦІЯ 3

    Види, призначення, принцип дії та конструкція діодів.. Механізми пробою, засоби збільшення напруги пробою. Тунельні діоди, їх технологічні та конструктивні особливості, параметри, характеристики. Аналіз перехідних процесів при малих і великих рівнях сигналу.

    Лекція 4

    Прилади з бар’єром Шотткі, ідеальні та реальні контакти. Основні характеристики діодів метал-напівпровідник, бар’єрна ємність, вплив стану межі розподілу контакту на характеристику контакту. Омічні контакти. Діоди Ганна. Основні експлуатаційні характеристики. Конструкції та застосування приладів.

    Практичне завдання 2

    Дослідження механізму пробоїв в діодах


  • Змістовий модуль 3

    Структура і принцип дії біполярного транзистора. Режим роботи і схеми включення транзисторів. Статичні вольт -амперні характеристики та основні параметри. Формальні і фізичні схеми моделі транзисторів. Пробій транзисторів. Перехідні процеси. Основні конструкції та застосування транзисторів. Принцип дії підсилювального каскаду на БТ. Вплив ємностей переходів і розподільного опору бази на частотні властивості транзистора. Робота БТ у ключовому режимі. Одноперехідний транзистор. Високочастотні малопотужні БТ. Потужні БТ. Особливості роботи БТ.

    ЛЕКЦІЯ 5

    Структура і принцип дії біполярного транзистора. Режим роботи і схеми включення транзисторів. Статичні вольт -амперні характеристики та основні параметри. Формальні і фізичні схеми моделі транзисторів. Пробій транзисторів. Перехідні процеси. Основні конструкції та застосування транзисторів. 

    ЛЕКЦІЯ 6

     Принцип дії підсилювального каскаду на БТ. Вплив ємностей переходів і розподільного опору бази на частотні властивості транзистора. Робота БТ у ключовому режимі. Одноперехідний транзистор. Високочастотні малопотужні БТ. Потужні БТ. Особливості роботи БТ.

    ПРАКТИЧНЕ ЗАВДАННЯ 3

    Дослідження статичних характеристик біполярного транзистора

    ПРАКТИЧНЕ ЗАВДАННЯ 4

    Дослідження характеристик польового транзистора


  • Змістовий модуль 4

    Польові прилади з управляючим p-n-переходом. Основні статичні характеристики та їх параметри. Пробій транзисторів. Базова структура і принцип роботи МДН- транзисторів. Розрахунок вольт-амперних характеристик і основних параметрів МДН- транзисторів. Режими роботи і схеми його включення. Динамічний режим роботи польових транзисторів. Підсилювальні каскади на польовому транзисторі. Їх частотні властивості. Структура тиристорів. Аналіз процесів переключення тиристорів на основі двотранзисторної схеми включення. Різновиди тиристорів, основні конструкції  та застосування, параметри та характеристики. Оптоелектронні напівпровідникові прилади.

    ЛЕКЦІЯ 7

    Польові прилади з управляючим p-n-переходом. Основні статичні характеристики та їх параметри. Пробій транзисторів. Базова структура і принцип роботи МДН- транзисторів. Розрахунок вольт-амперних характеристик і основних параметрів МДН- транзисторів. Режими роботи і схеми його включення. Динамічний режим роботи польових транзисторів. Підсилювальні каскади на польовому транзисторі. Їх частотні властивості. 

    ЛЕКЦІЯ 8

    Структура тиристорів. Аналіз процесів переключення тиристорів на основі двотранзисторної схеми включення. Різновиди тиристорів, основні конструкції  та застосування, параметри та характеристики. Оптоелектронні напівпровідникові прилади.

    ПРАКТИЧНЕ ЗАВДАННЯ 5

    Розрахунок параметрів та характеристик біполярного транзистора

    ПРАКТИЧНЕ ЗАВДАННЯ 6

    Розрахунок параметрів та характеристик тиристора


  • Підсумковий контроль