Indice degli argomenti
- Introduzione
Introduzione
- Змістовий модуль 1. Класифікація властивостей напівпровідникових матеріалів.
Змістовий модуль 1. Класифікація властивостей напівпровідникових матеріалів.
Тема 1. Класифікація і загальна характеристика напівпровідникових матеріалів.
Предмет і завдання дисципліни. Становлення та розвиток металургії напівпровідникових матеріалів. Класифікація і загальна характеристика напівпровідникових матеріалів.
Тема 2. Введення в фізику напівпровідників.
Елементи зонної теорії твердого тіла. Електропровідність напівпровідників. Особливості проходження електричного струму в металах та напівпровідниках. - Змістовий модуль 2. Методи вирощування кристалів і кристалізація розплавів.
Змістовий модуль 2. Методи вирощування кристалів і кристалізація розплавів.
Тема 3. Загальні положення процесів вирощування кристалів і кристалізація розплавів.
Дефекти структури и процеси вирощування кристалів. Кристалізація розплавів. Методи вирощування кристалів.
Тема 4. Поведінка домішок в кристалі напівпровідника.
Типи домішок в напівпровіднику. Поведінка домішок в кристалі напівпровідника. Розташування домішок в забороненій зоні напівпровідника. - Змістовий модуль 3. Технологія виробництва напівпровідникових селену.
Змістовий модуль 3. Технологія виробництва напівпровідникових селену.
Тема 5. Селен і властивості селену. Виробництво селену із первинної сировини.
Фізико-хімічні властивості селену. Сировина для виробництва селену. Технологічна схема виробництва селену із первинної сировини.
Тема 6. Виробництво селену із вторинної сировини. Отримання високочистого селену.
Сировина для виробництва вторинного селену. Технологічна схема виробництва селену із вторинної сировини. Отримання високочистого селену. - Змістовий модуль 4.Технологія виробництва напівпровідникових германію.
Змістовий модуль 4.Технологія виробництва напівпровідникових германію.
Тема 7. Германій і властивості германію. Витягання германію з первинної і вторинної сировини.
Фізико-хімічні та хімічні властивості германію та його з’єднань. Сировина для виробництва германію. Електрофізичні властивості германію та вплив на них домішок.
Тема 8. Вирощування монокристалів германію.
Отримання двоокису германію і чистого полікристалічного германію. Технологічна схема отримання кристалів германію. Обладнання для вирощування кристалів германію. - Змістовий модуль 5. Технологія виробництва напівпровідникового кремнію.
Змістовий модуль 5. Технологія виробництва напівпровідникового кремнію.
Тема 9. Фізико-хімічні і хімічні властивості кремнію та його з’єднань.
Фізико-хімічні і хімічні властивості кремнію та його з’єднань. Сировина для отримання кремнію. Застосування кремнію.
Тема 10. Методи отримання технічного кремнію.
Сировина для отримання технічного кремнію. Процес відновлення кремнізема в електричних печах. Будова печей для отримання кремнізема.
Тема 11. Методи отримання полікристалічного кремнію.
Отримання силанів. Очистка з’єднань кремнію методом ректифікації. Методи отримання полікристалічного кремнію.
Тема 12. Методи вирощування монокристалів кремнію.
Методи отримання кристалів кремнію. Технологічна схема виробництва кристалів кремнію. Отримання кристалів кремнію методом Чохральского та безтигельной зонною плавкою. Контроль електрофізичних параметрів в кристалах кремнію. - Змістовий модуль 6. Технологія виробництва напівпровідникових з’єднань.
Змістовий модуль 6. Технологія виробництва напівпровідникових з’єднань.
Тема 13. Загальні характеристики напівпровідникових з’єднань.
Загальні характеристики напівпровідникових з’єднань. Основні методи отримання з’єднань. Властивості напівпровідникових з’єднань.
Тема 14. Методи синтезу напівпровідникових з’єднань.
Технологія отримання напівпровідникових з’єднань. Обладнання для синтезу напівпровідникових з’єднань.
Тема 15. Напівпровідники що не розкладаються.
Властивості напівпровідників що не розкладаються. Особливості отримання напівпровідників що не розкладаються. Обладнання для отримання напівпровідників що не розкладаються.
Тема 16. Напівпровідники що розкладаються.
Властивості напівпровідників що розкладаються. Особливості отримання напівпровідників що розкладаються. Обладнання для отримання напівпровідників що розкладаються. - Підсумковий контроль
Підсумковий контроль