Résumé de section

  • Тема 7. Діоди універсального призначення. Діоди в напівпровідникових ІМС. Види, призначення, принцип дії, технологічні та конструктивні особливості, параметри та характеристики  діодів.

    Тема 8. Сучасні інтегровані біполярні транзистори. Режими роботи, статичні вольт -амперні характеристики, основні параметри та застосування.

    Тема 9. Польові прилади з керувальним p-n-переходом. Методика розрахунку вольт-амперних характеристик і основних параметрів польових транзисторів, перспективи розвитку інтегральних транзисторних структур.

    Тема10.Напівровідникові прилади спеціального призначення, їх функціональні можливості та особливості побудови. Типи конструкцій та структура НІМС (напівпровідникова інтегральна мікросхема).Використання фотоелектричних компонентів, особливості функціонування та перспективи розвитку.