Курс: Виробництво напівпровідників, Секція: Змістовий модуль 3. Загальні основи вирощування кристалів і кристалізація розплавів. | СЕЗН.ЗНУ

Вибір дисциплін

Схема розділу

- Виберіть дію Лекція 3. Загальні основи вирощування кристалів і кристалізація розплавів.
  
  Лекція 3. Загальні основи вирощування кристалів і кристалізація розплавів. Файл
- Виберіть дію ПЗ2 Розрахунок заданої кількості легуючої домішки
  
  ПЗ2 Розрахунок заданої кількості легуючої домішки Завдання
- Виберіть дію Усне опитування (або контрольна робота).
  
  Усне опитування (або контрольна робота). Завдання