Анотація дисципліни
Викладач - Критська Тетяна Володимирівна, доктор технічних наук, професор, завідувач кафедрою мікроелектронних та електронних інформаційних систем
У сьогоднішній час неможливо уявити сучасну фізику твердого тіла, електронні пристрої без гетеро структур. Напівпровідникові гетероструктури, особливо подвійні гетероструктури, квантові ями нитки, точки вивчає більш ніж 2/3 дослідницьких груп у світової фізиці напівпровідників. Гетероструктури дозволяють вирішити проблему управління фундаментальними параметрами напівпровідникових кристалів: шириной забороненої зони, ефективними масами носіїв, рухливістю, показниками преломління, електронним енергетичним спектром та інш.
У дисципліні «Технологія гетероструктур» викладаються основні фізичні поняття щодо матеріалів, з яких складаються гетероструктури, поняття про побудову їх кристалічної структури, сумісність граток, поняття гетеропереходів, їх типи, процедури формування на прикладах Ge - Si, GaAlAs - GaAs, GaAs - Ge, InGaAs - InP. Розглянуто основні модельні уявлення про існування потенціальних бар’єрів між шарами переходів та принципи управління інжекцією носіїв заряду, а також продемонстровано різницю з гомопереходами, де головну роль грає різниця у концентраціях домішок. Технологічні підходи щодо одержання гетеропереходів розглянуто з використанням сучасних уявлень про організацію виробничих приміщень, обладнання, що використовується, техніки безпеки під час роботи зі шкодливими та небезпечними речовинами. У лекційному курсі також розглядаються численні приклади гетероструктурних приладів (оптоелектронні, сенсорні, фотоенергетичні), способи їх одержання (на базі технологій мікро- та наноелектроніки) та приклади використовування