Структура за темами

  • Анотація дисципліни

    Викладач: д.т.н., професор Критська Тетяна Володимирівна

    Метою дисципліни «Сучасні технології кремнію напівпровідникової чистоти» є ознайомлення з існуючою ситуацією щодо проблем світового виробництва напівпровідникового кремнію, зокрема з методами рафінування металургійного кремнію, удосконалення Siemens-процесу та одержання монокристалів за методами Чохральського, безтигельного зонного плавлення та електронно-проміневого очищення розплавів. 

    По завершенню навчання по даній дисципліні, студенти повинні:

    Знати:

    - технології одержання кремнію напівпровідникової якості, стосовно до потреб регіональних виробництв; 

    - основні сировинні ресурси (кварцити, вуглецеві відновлювачи, енергетичні добавки до шихти);

    - технологічні схеми одержання кремнію для мікроелектроніки, силової електроніки, фотовольтаїки та спеціальних використань.

    Вміти:

    - оцінювати існуючи методи за показником орієнтуватись у факторах розмірності мікро- та нанооб’єктів;

    - порівнювати особливості процесів, що є загальними для мікро- і нанопроцесів, та оцінювати їх відмінності;

    - проводити вибір основного технологічного обладнання (вакуумне, електротермічне, вимірювальне) для виробничого циклу конкретного виробу.


  • Секція 1

    • Секція 2

      • Секція 3

        • Секція 4