Схема розділу
-
Викладач: д.т.н., професор Критська Тетяна Володимирівна
Метою дисципліни «Сучасні технології кремнію напівпровідникової чистоти» є ознайомлення з існуючою ситуацією щодо проблем світового виробництва напівпровідникового кремнію, зокрема з методами рафінування металургійного кремнію, удосконалення Siemens-процесу та одержання монокристалів за методами Чохральського, безтигельного зонного плавлення та електронно-проміневого очищення розплавів.
По завершенню навчання по даній дисципліні, студенти повинні:
Знати:
- технології одержання кремнію напівпровідникової якості, стосовно до потреб регіональних виробництв;
- основні сировинні ресурси (кварцити, вуглецеві відновлювачи, енергетичні добавки до шихти);
- технологічні схеми одержання кремнію для мікроелектроніки, силової електроніки, фотовольтаїки та спеціальних використань.
Вміти:
- оцінювати існуючи методи за показником орієнтуватись у факторах розмірності мікро- та нанооб’єктів;
- порівнювати особливості процесів, що є загальними для мікро- і нанопроцесів, та оцінювати їх відмінності;
- проводити вибір основного технологічного обладнання (вакуумне, електротермічне, вимірювальне) для виробничого циклу конкретного виробу.
-
Розповсюдження кремнію у земної корі. Поняття «кларку». Хімічні властивості кремнію. Фізичні властивості кремнію.
-
Температурна залежність електропровідність металів та напівпровідників (на прикладі кремнію)
-
-
Технології одержання елементарного кремнию. Карботермічне відновлення.
-
-
Перспективна технологія «Кремній з піску». Порівняння із Сименс-процесом
-
-
Технології одержання монокристалів кремнію. Мікроелектронне, силове призначення
-
-
Монокристали для спеціальних цілей. Монокристали та мультікристали для фотовольтаїки