Мікроелектронні прис ...

Структура за темами

• Мікроелектронні пристрої
  

  Мікроелектронні пристрої

  Метою викладання дисципліни «Мікроелектронні пристрої» є надання знань про інтегральні напівпровідникові пристрої: їх будову, особливості проєктування та розробки, контроль параметрів елементів інтегральних мікросхем (ІМС), особливості застосування ІМС при побудові електричних принципових схем.
  

  • Силабус Файл
  • Відомості про автора курсу Файл
  • Презентація навчальної дисципліни Файл
  • Опис навчальної дисципліни Файл
  • Система накопичення балів Файл
  • Інформаційні ресурси Файл
  • Посібник Файл
  • Методичні вказівки для лабораторного практикуму Файл
  • Методичні вказівки для самостійної роботи студентів Файл
  • Форум
  • Новини Форум
• Змістовий модуль 1 – «Еволюція мікроелектронних пристроїв»
  

  Змістовий модуль 1 – «Еволюція мікроелектронних пристроїв»

  Тема 1. Мікроелектронні пристрої. Етапи розвитку.

  Тема 2. Фізичні основи мікроелектроніки.

  • Лекції Файл
  • Технологія виробництва інтегральних мікросхем на підприємствах Intel URL (веб-посилання)
  • What is a Schottky Diode? URL (веб-посилання)
  • Лекції Файл
  • Практична робота №1 Класифікація інтегральних мікросхем та система умовних позначень Файл
  • Результати вимірювання Файл
  • №1 Файл
  • №2 Файл
  • №3 Файл
  • №4 Файл
  • Практична робота №1 Завдання
  • Питання до проміжного контролю №1 Файл
  • Проміжний контроль №1 Завдання
• Змістовий модуль 2 – «Напівпровідникові інтегральні мікросхеми (ІМС)»
  

  Змістовий модуль 2 – «Напівпровідникові інтегральні мікросхеми (ІМС)»

  Тема 3. Типи конструкцій та структура НІМС. Ізоляція елементів у НІМС

  Тема 4. Транзистори у НІМС. Біполярні транзистори.

  Тема 5. Діоди у напівпровідникових ІМС.

  Тема 6. Напівпровідникові резистори. Напівпровідникові конденсатори. Індуктивність у НІМС.

  
  

  
  

  • Лекції Файл
  • Практична робота №2 Фізичні основи мікроелектронних пристроїв Файл
  • Практична робота №2 Завдання
  • Питання до проміжного контролю №2 Файл
  • Проміжний контроль №2 Завдання
• Змістовий модуль 3 - «Плівкові та гібридні інтегральні мікросхеми (ІМС)»
  

  Змістовий модуль 3 - «Плівкові та гібридні інтегральні мікросхеми (ІМС)»

  Тема 7. Конструкція плівкових та гібридних ІМС.

  Тема 8. Підкладки плівкових інтегральних мікросхем.

  Тема 9. Плівкові резистори. Плівкові конденсатори.

  Тема 11. Пасивні елементи гібридних інтегральних мікросхем.

  
  

  • Лекції Файл
  • Практична робота №3 Вимірювання статичних параметрів ІМС Файл
  • Практична робота № 3 Завдання
  • Питання до проміжного контролю №3 Файл
  • Проміжний контроль №3 Завдання
• Змістовий модуль 4 -«Великі ІМС»
  

  Змістовий модуль 4 -«Великі ІМС»

  Тема 12. Великі ІМС. Класифікація та основні параметри.

  
  

  
  

  • Лекції Файл
  • Практична робота №4 Дослідження статичних параметрів логічних мікросхем ТТЛ і КМОН Файл
  • Практична робота №4 Завдання
• Залік
  

  Залік

  • Питання підсумкового контролю знань Файл

    Залік (max 40 балів) . Питання передбачають знання  базових теоретичних основ и володіння практичними навичками розрахунку основних параметрів мікроелектронних пристроїв.
    

  • Підсумковий контроль Тест