
Тема 1. Мікроелектронні пристрої. Етапи розвитку.
Тема 2. Фізичні основи мікроелектроніки.
Тема 3. Типи конструкцій та структура НІМС. Ізоляція елементів у НІМС
Тема 4. Транзистори у НІМС. Біполярні транзистори.
Тема 5. Діоди у напівпровідникових ІМС.
Тема 6. Напівпровідникові резистори. Напівпровідникові конденсатори. Індуктивність у НІМС.
Тема 7. Конструкція плівкових та гібридних ІМС.
Тема 8. Підкладки плівкових інтегральних мікросхем.
Тема 9. Плівкові резистори. Плівкові конденсатори.
Тема 11. Пасивні елементи гібридних інтегральних мікросхем.
Тема 12. Великі ІМС. Класифікація та основні параметри.
Залік (max 40 балів) . Питання
передбачають знання базових теоретичних
основ и володіння практичними навичками розрахунку основних параметрів мікроелектронних
пристроїв.