Topic outline
- General
General
- Змістовий модуль 1
Змістовий модуль 1
Тема 1. Загальна класифікація матеріалів мікро- та наноелектроніки. Види матеріалів та металевих сплавів, їх основні властивості та застосування. Класифікація, основні параметри та характеристики провідникових матеріалів. Метали і сплави високої провідності.
Тема 2. Неметалеві, композиційні та оксидні провідникові матеріали. Класифікація магнітних матеріалів. Магнітні матеріали спеціального призначення. Нанорозмірні матеріали електроніки. Високоентропійні сплави.
- Лабораторна робота №1
- Лабораторна робота №2
- Проміжний контроль 1
- Змістовий модуль 2
Змістовий модуль 2
Тема 3. Властивості напівпровідників. Класифікація напівпровідникових матеріалів та основні їх групи. Фізичні ефекти в напівпровідниках, що мають важливе прикладне значення: термоелектричні явища; вплив сильного електричного поля на електропровідність. Параметри та характеристики напівпровідникових матеріалів. Властивості і використання напівпровідникових сполук типу АIII ВV, АII ВVI .
Тема 4. Загальні фізико-хімічні властивості та класифікація діелектричних матеріалів. Пасивні та активні діелектрики, основні групи, фізико-технічні властивості і можливості їх використання.
- Змістовий модуль 3
Змістовий модуль 3
Тема 5. Базові компоненти мікроелектроніки, основні типи, класифікація та застосування. Напівпровідникові дифузійні та плівкові резистори. Резистори інтегрованих мікросхем. Конструкції, матеріали для їх виготовлення, основні параметри та характеристики.
Тема 6. Напівпровідникові дифузійні та плівкові конденсатори. Конструкції конденсаторів та матеріали для їх виготовлення, особливості застосування конденсаторів різних типів. Індуктивні елементи ІМС. Основні технічні характеристики індуктивності. Плівкові RC – структури.
- Змістовий модуль 4
Змістовий модуль 4
Тема 7. Діоди універсального призначення. Діоди в напівпровідникових ІМС. Види, призначення, принцип дії, технологічні та конструктивні особливості, параметри та характеристики діодів.
Тема 8. Сучасні інтегровані біполярні транзистори. Режими роботи, статичні вольт -амперні характеристики, основні параметри та застосування.
Тема 9. Польові прилади з керувальним p-n-переходом. Методика розрахунку вольт-амперних характеристик і основних параметрів польових транзисторів, перспективи розвитку інтегральних транзисторних структур.
Тема10.Напівровідникові прилади спеціального призначення, їх функціональні можливості та особливості побудови. Типи конструкцій та структура НІМС (напівпровідникова інтегральна мікросхема).Використання фотоелектричних компонентів, особливості функціонування та перспективи розвитку.