Кристалохімія

1) відсутність атомів або іонів в атомній позиції даного структурного типу або конкретної кристалічної структури. В кристалохімії прийнято позначати вакансії символом V. 2) точковий дефект в кристалі, обумовлений відсутністю атома (іона).

– сильний хімічний зв'язок до якого відносять іонний, ковалентний та металевий зв’язок. Енергії цих зв’язків зазвичай десятки та сотні кДж/моль. Їм протипоставляють не валентну взаємодію (слабкий хімічний зв'язок), до якого відносять водневий зв'язок, Ван-дер-Ваальсові сили й специфічні взаємодії.

– кристалохімічні радіуси, використовувані для обчислення найкоротших міжмолекулярних відстаней. Приймаються рівними половині між'ядерної відстані між найближчими однаковими атомами сусідніх молекул, пов'язаних Ван-дер-Ваальсовими силами.

– тип хімічного зв'язку між атомами (іонами) або молекулами, який складається з слабкого електростатичного тяжіння постійних диполів (орієнтаційна взаємодія), диполів і наведених диполів (індукційна взаємодія) і наведених диполів (дисперсійна взаємодія).

– це вектор, який відповідає одній з трансляцій решітки. Якщо такий вектор з’єднує два вузли решітки m1n1p1 та m2n2p2 , то він дорівнює: R= (m2-m1) a + (n2-n1) b + (p2-p1) c, де a, b, c – базисні вектори решітки.

– три обраних (базисних) некомпланарних вектора гратки, що визначають комірку гратки.

– фізичні параметри кристалів, які описуються трьома компонентами вектору. Симетрія векторних характеристик співпадає з симетрією конус. До векторних параметрів відносяться сила, твердість, піроефект та ін.

– кількість точок, на які ділиться точка, при її виході з приватної позиції ПСТ до спільної, що дорівнює порядку ТГС, відповідної симетрії положення даної точки.

– сукупність закритих елементів симетрії, які відповідають точковій групі. В кристалографії вид симетрії – найбільш часто використовуваний синонім кристалографічного класу.

– операція симетрії, яка не залишає нерухомою жодну точку фігури, що характерно тільки для нескінченних фігур.